1. 尺寸縮小芯片尺寸縮小

表面上看，就是版圖設(shè)計(jì)的問題，似乎只要根據(jù)需要設(shè)計(jì)更小的版圖就能解決。但是，芯片尺寸的縮小是否能無限的進(jìn)行下去呢？答案是否定的。有如下幾個原因制約著芯片尺寸縮小的程度：

（1）封裝加工的限制。封裝加工過程中，兩個因素限制了芯片尺寸的縮小。一是吸嘴的限制。固晶需要吸取芯片，芯片短邊尺寸必須大于吸嘴內(nèi)徑。目前有性價(jià)比的吸嘴內(nèi)徑為80um左右。二是焊線的限制。首先是焊線盤即芯片電極必須足夠大，否則焊線可靠性不能保證，業(yè)內(nèi)報(bào)道最小電極直徑45um；其次是電極之間的間距必須足夠大，否則兩次焊線間必然會相互干擾。

（2）芯片加工的限制。芯片加工過程中，也有兩方面的限制。其一是版圖布局的限制。除了上述封裝端的限制，電極大小，電極間距有要求外，電極與MESA距離、劃道寬度、不同層的邊界線間距等都有其限制，芯片的電流特性、SD工藝能力、光刻的加工能力決定了具體限制的范圍。通常，P電極到芯片邊緣的最小距離會限定在14μm以上。

其二是劃裂加工能力的限制。SD劃片+機(jī)械裂片工藝都有極限，芯片尺寸過小可能無法裂片。當(dāng)晶圓片直徑從2英寸增加到4英寸、或未來增加到6英寸時(shí)，劃片裂片的難度是隨之增加的，也就是說，可加工的芯片尺寸將隨之增大。以4寸片為例，如果芯片短邊長度小于90μm，長寬比大于1.5:1的，良率的損失將顯著增加。

基于上述原因，筆者大膽預(yù)測，芯片尺寸縮小到17mil2后，芯片設(shè)計(jì)和工藝加工能力接近極限，基本再無縮小空間，除非芯片技術(shù)方案有大的突破。

2. 亮度提升

亮度提升是芯片端永恒的主題。芯片廠通過外延程式優(yōu)化提升內(nèi)量子效應(yīng)，通過芯片結(jié)構(gòu)調(diào)整提升外量子效應(yīng)。

不過，一方面芯片尺寸縮小必然導(dǎo)致發(fā)光區(qū)面積縮小，芯片亮度下降。另一方面，小間距顯示屏的點(diǎn)間距縮小，對單芯片亮度需求有下降。兩者之間是存在互補(bǔ)的關(guān)系，但要留有底線。目前芯片端為了降低成本，主要是在結(jié)構(gòu)上做減法，這通常要付出亮度降低的代價(jià)，因此，如何權(quán)衡取舍是業(yè)者要注意的問題。

3. 小電流下的一致性

所謂的小電流，是相對常規(guī)戶內(nèi)、戶外芯片試用的電流來說的。如下圖所示的芯片I-V曲線，常規(guī)戶內(nèi)、戶外芯片工作于線性工作區(qū)，電流較大。而小間距LED芯片需要工作于靠近0點(diǎn)的非線性工作區(qū)，電流偏小。